Chấm lượng tử bán dẫn CdSe, CdTe, InP và CuInS2: Chế tạo, tính chất quang và ứng dụng

21/01/2013
Tác giả: Nguyễn Quang Liêm. Khổ: 16x24cm. Số trang: 266tr.

MỤC LỤC

    Chương I: Chấm lượng tử bán dẫn, tính chất của chúng và phương pháp chế tạo
    Chương II: Công nghệ chế tạo chấm lượng tử bán dẫn CdSe, CdZnSe lõi/ CdS hoặc ZnS vỏ
    Chương III: Công nghệ chế tạo chấm lượng tử bán dẫn CdTe, CdSe và CdTe (Se)/CdS cấu trúc lõi/ vỏ trong môi trường nước
    Chương IV: Công nghệ chế tạo chấm lượng tử InP và InP/ZnS cấu trúc lõi/ vỏ
    Chương V: Công nghệ chế tạo chấm lượng tử CuInS2
    Chương VI: Vi hình thái, cấu trúc và tính chất quang của các chấm lượng tử
    Chương VII: Ứng dụng chấm lượng tử bán dẫn

 

 

 

 

Nguồn: Nhà xuất bản Khoa học tự nhiên và Công nghệ



Tags:
Tin liên quan