- Nguyên lý hoạt động và quy trình vận hành Khi bị tác động bởi một chùm bức xạ tia X (bức xạ sơ cấp) có năng lượng thích hợp từ ống phát tia X hoặc từ nguồn đồng vị phóng xạ, các điện tử của lớp trong (lớp K, L, M) của các nguyên tố có trên bề mặt mẫu bị kích thích lên trạng thái năng lượng cao hơn. Khi trở về trạng thái cơ bản ban đầu sẽ phát ra bức xạ tia X thứ cấp (bức xạ huỳnh quang đặc trưng) với năng lượng đặc trưng cho mỗi nguyên tố và cường độ của bức xạ tia X thứ cấp tỷ lệ với mật độ (hàm lượng) của nguyên tố đó. Bằng cách xác định cường độ bức xạ của tia X thứ cấp theo mức năng lượng đặc trưng, tương ứng với nguyên tố cần phân tích để xác định hàm lượng của nguyên tố đó. - Điểm mới/tính độc đáo Thiết bị và phương pháp phân tích huỳnh quang tia X (TB&PP) đã được Viện Khoa học vật liệu nghiên cứu phát triển từ những năm đầu thập niên 90 thế kỷ 20 tới nay. TB & PP có ưu điểm nổi trội là phân tích không phá hủy, phân tích nhanh đồng thời nhiều nguyên tố trong một vài phút. Đã có nhiều loại thiết bị được chế tạo và nghiên cứu phát triển phương pháp phân tích thành công đã được chuyển giao cho các cơ quan quản lý nhà nước và các doanh nghiệp sản xuất và kinh doanh để kiểm tra chất lượng sản phẩm. Bằng độc quyền GPHI số 2787: “Phương pháp xác định hàm lượng phospho trong phân bón hỗn hợp NPK”. Quyết định số: 20626w/QĐ-SHTT, ngày 16/12/2021. Bằng độc quyền GPHI số 1526:“Bộ mẫu chuẩn và phương pháp phân tích kim loại quý dùng làm trang sức”. Quyết định số: 4230/QĐ-SHTT, ngày 05/12/2017. Công trình mới công bố “Thiết bị và phương pháp phân tích huỳnh quang tia X ứng dụng cho nông nghiệp công nghệ cao” Nhà xuất bản khoa học tự nhiên và công nghệ, Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam. ISBN 978-604-357-367-1, tr 256 – 266 (2025). Công trình mới công bố về việc đánh giá nồng độ nguyên tố và chỉ số rủi ro sức khỏe của rau lá tại Hà Nội, Việt Nam. “Assessment of elemental concentration and health risk index of leafy vegtables in Ha Noi, Viet Nam.” Nuclear Technology & Radiation Protection: Year 2025, Vol. 40, No. 4, pp. |