- Nhiệm vụ hướng đến việc tận dụng những khả năng tối đa của các đối tác nhằm thấu hiểu loại vật liệu bán dẫn nano tinh thể SiGe – “loại vật liệu có thể chế tạo các chip điện tử tốc độ cao hơn cả các loại linh kiện chế tạo từ loại bán dẫn hợp kim thông thường khác như InP, GaAs” - (Bernard Meyerson, phó chủ tịch Trung tâm nghiên cứu phát triển thông tin IBM). Các công việc cụ thể bao gồm:
+ Phát triển công nghệ chế tạo vật liệu nano tinh thể SiGe;
+ Chế tạo được các cấu trúc dị thể đa lớp dạng màng mỏng chứa các nano tinh thể Si-Ge với các thành phần và kích thước khác nhau, được ngăn cách bởi các lớp đệm SiO2 hoặc Al2O3;
+ Mô phỏng các trạng thái điện tử trong vật liệu nano tinh thể SiGe;
+ Tiến hành các nghiên cứu cả về lý thuyết lẫn thực nghiệm về các quá trình hấp thụ, tái hợp và bức xạ photon của vật liệu, các quá trình hình thành, vận động của exciton cũng như các hạt tải điện trong vật liệu nano SiGe

Về khoa học: Công bố được 01 bài báo trong danh mục ISI có ghi mã số nhiệm vụ trong phần cảm ơn; 02 bài báo trong nước và quốc tế; 01 bài báo gửi đăng trên tạp chí Communications in Physics, Học viện Khoa học và Công nghệ Việt Nam (đã trả lời phản biện lần 1).
Về đào tạo: 01 thành viên đề tài là học viên cao học đã bảo vệ luận văn thạc sỹ (Trần Thị Thùy Dương)
Về phát triển hợp tác: Tổ chức đoàn ra (2 thành viên tham gia nhiệm vụ) thực hiện trao đổi và hợp tác nghiên cứu ngắn hạn theo chương trình của nhiệm vụ  và tham dự hội nghị quốc tế tại St. Peterburg, Liên Bang Nga. Tiếp nhận đoàn vào gồm 2 thành viên của của đối tác đến làm việc tại Viện Vật lý và Trường Đại học Bách khoa Hà Nội .

Trong khuôn khổ nhiệm vụ hợp tác, đề tài đã có những đóng góp bao gồm:
- Nghiên cứu được những khả năng ứng dụng của loại vật liệu bán dẫn nano tinh thể SiGe;
- Phát triển và nắm bắt được công nghệ chế tạo vật liệu nano tinh thể SiGe bằng phương pháp bốc bay ca tốt  từ 3 nguồn vật liệu gồm SiO2, Si, và Ge;
- Chế tạo được các cấu trúc dị thể đa lớp dạng màng mỏng chứa các nano tinh thể Si-Ge với các thành phần và kích thước khác nhau, được ngăn cách bởi các lớp đệm SiO2; Nghiên cứu tài liệu khả năng thay thế đệm SiO2 bằng Al2O3;
- Mô phỏng được các trạng thái điện tử trong vật liệu nano tinh thể SiGe;
- Nghiên cứu được cả về lý thuyết lẫn thực nghiệm về các quá trình hấp thụ, tái hợp và bức xạ phôton của vật liệu, các quá trình hình thành, vận động của exciton cũng như các hạt tải điện trong vật liệu nano SiGe.
Các đóng góp mới này bao quát được toàn bộ mục tiêu và nhiệm vụ nghiên cứu đề ra ban đầu.