• Lần đầu tiên tại Việt Nam đã chế tạo thành công vật liệu từ điện trở dạng hệ màng mỏng đa lớp kim loại trực tiếp trên đế Si bằng kỹ thuật xung dòng và  khảo sát một số yếu tố ảnh hưởng đến hiệu ứng từ điện trở (MR) như biên độ xung, độ dày đơn lớp, số đa lớp, thành phần dung dịch..vv. Đã xây dựng quy trình chế tạo màng từ điện trở đa lớp hệ Ni-Co-Cu/Cu trực tiếp trên đế Si bằng phương pháp xung dòng từ một dung dịch duy nhất chứa Ni²⁺ ở dạng muối sulphamate và có mặt các ion Co²⁺, Cu²⁺ trong điều kiện nhiệt độ thường.

Ở điều kiện kết tủa với các thông số xung, nồng độ, pH nhất định hiệu ứng MR thu được đạt gần 7% trong vùng từ trường ± 3KOe, độ nhạy khá cao (khoảng 4,2% ) trong vùng từ trường ± 100 Oe.  Kết quả hiệu ứng MR đạt được gần với kết quả đã được công bố cho đến nay trên thế giới ( 9%).

• Khác với mạ thường, trong điều kiện mạ lớp mỏng kích thước nano hay còn gọi là mạ nano (nanoplating) ở điều kiện xung dòng khi lớp khuyếch tán Nernst có chiều dày xấp xỉ độ ghồ ghề bề mặt (δ ≈ 10^-8m), có thể không cần chất hoạt động bề mặt, vai trò của các phụ gia thường được sử dụng trong mạ thường (các chất làm bóng, san bằng bề mặt) như sacharin, 1,4 – butyldiol, thiurê.., không cải thiện rõ chất lượng MR của đa lớp, ngược lại đôi khi làm xuất hiện hiệu ứng từ điện trở xuyên hầm (TMR).

• Bước đầu đã lý giải được cơ chế phóng điện đồng thời của các ion Cu²⁺, Ni²⁺, Co²⁺ với các đặc thù:

Phóng điện của Cu²⁺ qua 2 giai đoạn theo cơ chế Bockris.
Phóng điện có hấp phụ cạnh tranh của Ni²⁺, Co²⁺
Các cơ chế nói trên được mô phỏng bằng các sơ đồ mạch điện tương đương có định lượng trên cơ sở phần mềm Thales.

• Với ưu điểm độ nhạy cao ở vùng từ trường thấp (0,5 KOe), công nghệ chế tạo đơn giản, giá thành rẻ, hệ màng từ điện trở đa lớp kim loại chế tạo bằng phương pháp điện hoá rất có triển vọng ứng dụng trong chế tạo sensor từ làm cảm biến nhậy ở từ trường thấp.